RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
57
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
57
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1244
3357
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link