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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
57
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
32
读取速度,GB/s
6.8
16.6
写入速度,GB/s
5.5
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
3357
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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