RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
57
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
57
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1244
2545
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link