RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
52
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2260
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link