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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
52
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
52
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
2260
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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