Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 52

Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.3 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 7.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 52
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 10.0
Скорость записи, Гб/сек

9.0 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2016 2260

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB

Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB

модули RAM