Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Kingston 9905665-023.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 7.7

Среднее значение в тестах

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 29

Около -12% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 26
Скорость чтения, Гб/сек

15.8 14.2
Скорость записи, Гб/сек

11.8 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 19200

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2711 1813

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

AMD R748G2400U2S 8GB

AMD R748G2400U2S 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

модули RAM

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

модули RAM