RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2711
1813
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link