RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2711
1813
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link