RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
73
Rund um -306% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
18.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
3529
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link