RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
73
Около -306% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
18
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
20.4
Скорость записи, Гб/сек
4.7
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
3529
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link