RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
73
Wokół strony -306% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
18
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
3529
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link