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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
95
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
95
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1853
1518
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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