RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2083
3664
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link