RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gesamtnote
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
35
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2792
2654
Kingston 9905702-010.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2800C11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link