RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1632
2910
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link