RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2279
2062
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link