RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.1
11.4
Скорость записи, Гб/сек
9.9
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2279
2062
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link