RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
27
Velocità di lettura, GB/s
9.1
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.9
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2279
2062
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R744G2400U1S 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link