RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
77
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
32
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2585
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link