RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
18.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
4046
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link