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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.2
20.2
写入速度,GB/s
8.6
18.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
4046
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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