RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
39
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.9
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3110
Kingston 9965662-016.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link