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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
85
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2144
1118
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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