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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比较
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
总分
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
85
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
85
读取速度,GB/s
12.9
11.3
写入速度,GB/s
8.3
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2144
1118
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM的比较
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
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