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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
43
读取速度,GB/s
10.6
11.6
写入速度,GB/s
6.8
11.2
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2615
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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