Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Gesamtnote
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Unterschiede

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 44
    Rund um -63% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.2 left arrow 1,769.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    44 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,482.7 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,769.9 left arrow 10.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    525 left arrow 2764
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RAM 1
RAM 2

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