RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,769.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,482.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,769.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2764
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link