RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
75
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
3182
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link