RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
75
Rund um -241% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,986.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,036.1
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
714
2989
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link