RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
75
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2989
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link