RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
75
Intorno -241% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
22
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
2989
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link