RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
1998
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link