RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
23.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
18.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
4124
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link