RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
4124
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link