RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1756
4124
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link