RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Vergleichen Sie
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Gesamtnote
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
50
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2159
2231
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link