RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
2607
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link