RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
46
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2776
2660
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link