RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
46
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
46
Velocità di lettura, GB/s
15.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
13.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2776
2660
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link