RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
46
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
46
Velocità di lettura, GB/s
15.4
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
13.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2776
2660
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link