Kingston KF3200C20S4/8G 8GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 46

Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.3 12.4

Среднее значение в тестах

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 15.4

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 46
Скорость чтения, Гб/сек

15.4 16.0
Скорость записи, Гб/сек

13.3 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 25600

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2776 2660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB

Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

модули RAM