RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2348
2855
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link