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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.4
15.9
写入速度,GB/s
9.2
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2855
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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