RAM-Vergleich Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Gesamtnote

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.2 12.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.3 6.3

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 38

Rund um -58% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 14200

Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2496 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns