RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de -58% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14200
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.2
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
17000
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2496
2256
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link