Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.2 left arrow 12.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.3 left arrow 6.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 38
    Autour de -58% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 14200
    Autour de 1.2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    38 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.2 left arrow 12.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.3 left arrow 6.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    14200 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2496 left arrow 2256
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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