Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.2 left arrow 12.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 6.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 38
    Intorno -58% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 14200
    Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.2 left arrow 12.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.3 left arrow 6.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2496 left arrow 2256
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti