RAM-Vergleich Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Gesamtnote

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 38

Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.3 15.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.2 9.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 14200

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2496 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns