RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14200
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
21300
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2496
2545
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link