Comparação RAM Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Pontuação geral

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 38

Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.3 15.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.2 9.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 14200

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2496 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns