Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Kingston KVR533D2N4 512MB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    45 left arrow 75
    Rund um -67% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.9 left arrow 1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.3 left arrow 1,672.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 4200
    Rund um 4.05 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    75 left arrow 45
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    1,943.5 left arrow 6.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,672.1 left arrow 6.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    301 left arrow 1499
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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